由于互补对称功率放大电路，频率响应好、体积小、结构简单易于集成，因而被广泛应用于集成电路中。例如国产D２００２型集成功率放大电路，其输出级为复合管互以对称电路，并具有推动级。这种集成功放电路只要很少的外接元件，电源电压可在８～１８V的范围内选用，静态工作点无需调整，并具有电流容量大、失真小、噪声低等特点。图７-３７所示是D２００２型集成功放的外形，它只有５个引脚。使用时应紧固在散热片上。图７-３８所示为用D２００２型集成功放组成的低频功率放大电路，图中C１和C３分别为输入和输出耦合电容；电阻R１、R２和C３组成负反馈电路以提高放大电路工作的稳定性，并可改善其性能；R３、C４组成高通电路，用来改善高频时放大电路的特性，防止可能出现的高频自激。负载为４的扬声器，这种功率放大电路的不失真输出功率可达５W。
7-10场效应管及其放大电路
场效应管是一种新型半导体器件，它具有输入电阻大（可高达１０６～１０１２）、噪声低、热稳定性好和耗电少等优点，因此场效应管被广泛应用于各种电子线路中。场效应管按其结构不同，可分为结型和绝缘栅型两大类。由于后者制造工艺简单，目前又已大量集成化，应用于集成电路中。这里只以绝缘栅型场效应管为例，介绍其结构、性能和应用。
７-１０-１绝缘栅场效应管
绝缘栅场效应管按其制造工艺可分为增强型和耗尽型两类，每类又有N型沟道和P型沟道之分。下面以N沟道为例，简述场效应管的工作原理。
1-增强型绝缘栅场效应管
１）N沟道增强型场效应管
图７-３９是N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构示意图和图形符号。它用一块杂质浓度很低的P型薄硅片做衬底，在硅片上扩散两个掺杂浓度很高的N型区。在两个N型区上，分别引出电极作为源极（S）和漏极（D）。又在两个N型区的间隙表面上用热氧化的方法，在硅表面生成一层二氧化硅的绝缘层，其上再覆盖一层金属铝，并引出电极作为栅极（G）。由于这种场效应管的栅极和其他两个电极是彼此绝缘的，故称为绝缘栅型场效应管。又由于它是由金属铝层，二氧化硅和半导体硅组成，所以又称为MOS场效应管。在制造场效应管时如果在二氧化硅中，掺入的正离子的数量较少，在UGS＝０时，漏－源极间无沟道，即UGS０时才存在导电沟道的场效应管，称为增强型场效应管。
２）工作原理
当UGS＝０时，漏－源极之间，并不存在导电沟道。因此，当UGS＝０时，如果在漏－源极间加上一个正向电压UDS，如图７-３９所示。由于漏极和衬底之间的PN结处于反向偏置，所以漏－源极之间不能导通，即ID＝０。当UGS０时，栅极正电压所产生的电场，与二氧化硅绝缘层中正离子所产生的电场方向相同，从而加强了总的电场。因此，在二氧化硅绝缘层和P型衬底的界面层，感应出大量的负电荷。如果UGS较低，则感应出的少量负电荷将被P型衬底中的多数载流子——空穴复合。最后，源－漏极间仍无电流。当UGS继续增加到某一定数值时，由于电场的加强，将开始积累负电荷，如图７-４０所示。且UGS越大积累的负电荷也越多。当积累足够多的负电荷时，将两个分离的高掺杂N＋区沟通，就是在漏－源极间开始形成导电沟道，由于该导电沟道是由电子形成的，故称为N型导电沟道，此时有ID流过，如图７-４１所示。这个使漏－源极间开始有电流ID的栅极电压，称栅－源开启电压，用UGS（th）表示。
３）转移特性和输出特性
图７-４２和图７-４３分别是增强型场效应管的转移特性和输出特性。从转移特性曲线可见，当UGSUGS（th）时，ID＝０；当UGSUGS（th）时，随UGS的增加ID将迅速增加。从以上分析可知，在０UGSUGS（th）的范围内，漏－源极间导电沟道尚未沟通，ID＝０，只有当UGSUGS（th）时，随栅极电压的变化，ID也随之变化。这就是说，增强型场效应管只有当UGSUGS（th）时，才起控制漏极电流ID的作用。不难看出，所谓转移特性，就是栅源电压UGS对漏极电流ID的控制特性，输出特性的恒流区是场效应管的放大工作区。
绝缘栅管的转移特性曲线
2-耗尽型绝缘栅场效应管
１）N沟道耗尽型场效应管
在制造场效应管时，可在二氧化硅的绝缘层中掺入大量的正离子。如果掺入的正离子浓度足够高，当它产生的正电场足够大时，就会在P型衬底的硅表面层排斥多数载流子——空穴，而感应出大量负电荷，此负电荷沟通了漏－源极，在漏－源极间形成了导电沟道，同样，由于该导电沟道是由电子形成的，故称为N型导电沟道，简称N沟道。这种当UGS＝０时，漏－源极之间就存在固有导电沟道的，称为耗尽型场效应管，如图７-４４为它的结构及图形符号。工作时，漏极和源极之间接有正向电压UDS，源极又常与衬底相连接并接地。
图７-４４N沟道耗尽型绝缘栅场效应管２）工作原理当UGS＝０时，漏极和源极之间已存在导电沟道，此时有很大的漏极电流ID，由电源正极流向漏极，称为原始导电沟道的饱和电流IDSS。
当UGS０时，由于绝缘层的存在，并不产生栅极电流IG，而在N型沟道内感应的负电荷增加，使ID随UGS的增加而增大。
当UGS０时，在N型沟道内，感应的负电荷减小，导电沟道缩小，ID减小。UGS越负，导电沟道越小，ID也就越小。当UGS达到某一定值时，N型沟道内载流子耗尽，即ID０。
此时栅－源极间电压，称为夹断电压UGS（off）。
可见，漏极电流ID的大小，是随栅源间的电压UGS大小而变化，也就是受控于UGS。实际上，UGS的微小变化，便会引起ID明显的变化，也就是说，场效应管是一种电压控制元件。
同时，耗尽型场效应管不论栅极电压UGS是正、负或是零，都能控制ID。这个特点使得它的应用具有更大的灵活性，通常，这类管子工作在UGS０的状态。
３）转移特性和输出特性
（１）转移特性。N沟道耗尽型管的转移特性如图７-４５所示。它是指漏源电压UDS为常数时，栅压UGS和漏极电流之间的关系曲线。
由图可见，当UGS＝０时，由于具有原始导电沟道，故漏源极已导通，流过漏极的电流为饱和漏极电流IDSS。
当UGS０时，由于UGS的增加，N型沟道内感应出的负电荷增加，ID随着UGS的增加而增大。当UGS０时，导电沟道缩小，UGS越负，沟道越小，ID也随之越小。当UGS等于夹断电压UGS（off）时，沟道被夹断，ID０。可见耗尽型场效应管，在正、负偏置或零栅压时，都能控制ID。
（２）输出特性。N沟道耗尽型管的输出特性如图７-４６所示。从曲线上看，场效应管的工作可分为三个区域：可变电阻区、线性放大区和击穿区。在放大区中，漏极电流ID几乎不随漏－源电压UDS变化，输出电阻很高。但漏极电流ID随栅－源电压UGS线性增长，即受控于UGS。场效应管作为放大用时，都工作在放大区。实际应用中，为了避免管子损坏，应注意不要进入击穿区。
综上所述，可得如下结论。
（１）场效应管和普通三极管在外形上是相似的，也有三个极，其栅极相当于普通三极管的基极，源极相当于发射极，漏极相当于集电极。
（２）场效应管和普通三极管在性能上的主要区别是①普通三极管，是以基极电流控制集电极电流，是电流控制元件，其输入电阻较低；场效应管是以栅极电压UGS控制漏极电流，是电压控制元件，栅极回路基本上不取用电流，即IG＝０。因此，输入电阻很高。②普通三极管中，运动的载流子有电子和空穴两种载流子，称为双极型晶体管；而场效应管中，只有一种载流子运动，称为单极型晶体管。
（３）N沟道增强型场效应管和耗尽型场效应管主要区别在于：是否有原始导电沟道，如果判别一个没有型号的绝缘栅型场效应管是增强型还是耗尽型，只要检查它在零栅偏压下，在漏、源极加正向电压时是否导通，就可做出正确判别。
７-１０-２场效应管的主要参数
1-跨导
漏、源极间的电压为定值时，漏极电流的变化量ΔID对引起这一变化的栅－源电压的增量ΔUGS的比值称为跨导，用gm表示。它是衡量场效应管放大能力的重要参数。跨导的一般表示式为它的大小是转移特性曲线在工作点的斜率。因此，也可从转移特性曲线上求得。显然，跨导的大小与工作点位置有关，gm的单位为西门子（s）。
2-击穿电压
UDS（BR）和UGS（BR）分别表示当管子工作时，漏－源极间和栅－源极间允许加的最高电压值。显然，为了避免管子损坏，正常工作时，不允许超过该值。
3-输入电阻
在栅－源极间的电压为定值时，栅－源极间的直流电阻值，称为输入电阻，用RGS表示。
一般场效应管的RGS都很大。绝缘栅型场效应管高达１０８以上。
７-１０-３单管交流电压放大电路
1-电路
图７-４７是常用的共源极分压式场效应管交流电压放大电路。和普通三极管一样，为了保证放大电路正常工作，场效应管放大电路也必须设置合适的静态工作点。在图７-４７中，RG１，RG２和Rs是用来设置静态工作点的。RG为栅极电阻，其值较大，以便提高放大电路的输入电阻。
普通三极管是以基极电流为参变量。因此，合适的静态工作点，主要靠适当调节基极电流IB来得到。场效应管栅极电流IG０，它是以栅－源电压为参变量。因此，主要靠给栅极提供合适的偏置电压来获得合适的静态工作点。
2-估算电压放大倍数